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FCPF190N60E-F152

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FCPF190N60E - POWER MOSFET N-CHA

compliant

FCPF190N60E-F152 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.35199 $1.35199
500 $1.3384701 $669.23505
1000 $1.3249502 $1324.9502
1500 $1.3114303 $1967.14545
2000 $1.2979104 $2595.8208
2500 $1.2843905 $3210.97625
44000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20.6A (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3175 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

PC3M0060065L
PC3M0060065L
$0 $/pedaço
NTC020N120SC1
NTC020N120SC1
$0 $/pedaço
FDS6673BZ-G
FDS6673BZ-G
$0 $/pedaço
FDA16N50LDTU
FDA16N50LDTU
$0 $/pedaço
DMP3021SFVW-13
IRF841
IRF841
$0 $/pedaço
SPP03N60S5XKSA1
DMT10H009LCG-7

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