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FCI7N60

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MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

FCI7N60 Ficha de dados

não conforme

FCI7N60 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.02179 -
398 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 920 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I2PAK (TO-262)
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

IXFH26N60P
IXFH26N60P
$0 $/pedaço
IXTP56N15T
IXTP56N15T
$0 $/pedaço
AUIRF7669L2TR
GC11N65M
GC11N65M
$0 $/pedaço
SQ4401EY-T1_GE3
STFW60N65M5
STFW60N65M5
$0 $/pedaço
IXFT140N20X3HV
IXFT140N20X3HV
$0 $/pedaço
FDC86244
FDC86244
$0 $/pedaço

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