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AOI1N60

AOI1N60

AOI1N60

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A

AOI1N60 Ficha de dados

compliant

AOI1N60 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 160 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251A
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

IRF6655TR1PBF
IRF730S
IRF730S
$0 $/pedaço
GA04JT17-247
ECH8601M-C-TL-HX
ECH8601M-C-TL-HX
$0 $/pedaço
IRF7822TRPBF
NTMFS4941NT3G
NTMFS4941NT3G
$0 $/pedaço
IRFL110TR
IRFL110TR
$0 $/pedaço
IRF6716MTR1PBF
SI1431DH-T1-GE3

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