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AOD4120

AOD4120

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MOSFET N-CH 20V 25A TO252

AOD4120 Ficha de dados

compliant

AOD4120 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 900 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252 (DPAK)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SPP08N80C3XK
AUIRFS8408-7TRR
IRF6635
IRF6635
$0 $/pedaço
NVD3055-150T4G
NVD3055-150T4G
$0 $/pedaço
IRF620
IRF620
$0 $/pedaço
STB200NF04-1
STB200NF04-1
$0 $/pedaço
IRF3704STRLPBF
STF25NM60ND
STF25NM60ND
$0 $/pedaço
IXFN21N100Q
IXFN21N100Q
$0 $/pedaço

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