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AOD1N60

AOD1N60

AOD1N60

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252

AOD1N60 Ficha de dados

compliant

AOD1N60 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.19440 -
5,000 $0.18360 -
12,500 $0.17820 -
170468 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 160 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252 (DPAK)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IPA60R060P7XKSA1
FDPF16N50
FDPF16N50
$0 $/pedaço
FQU8P10TU
FQU8P10TU
$0 $/pedaço
NTD80N02T4
NTD80N02T4
$0 $/pedaço
CSD18533Q5A
CSD18533Q5A
$0 $/pedaço
SQM40020EL_GE3
SQM40020EL_GE3
$0 $/pedaço
FDU2572
FDU2572
$0 $/pedaço
SI1317DL-T1-GE3

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