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AOB412L

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MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO263

AOB412L Ficha de dados

não conforme

AOB412L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.2A (Ta), 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 54 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3220 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.6W (Ta), 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D2Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IXFN24N90Q
IXFN24N90Q
$0 $/pedaço
IPI90R500C3XKSA1
BSS209PW L6327
FDH047AN08AD
IRLR014TRL
IRLR014TRL
$0 $/pedaço
APT20M22B2VRG
BSO4410T
BSO4410T
$0 $/pedaço
IRFI830G
IRFI830G
$0 $/pedaço
NVD6414ANT4G
NVD6414ANT4G
$0 $/pedaço
SI7388DP-T1-GE3

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