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SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK

compliant

SIS888DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.77490 -
6,000 $0.73852 -
15,000 $0.71253 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 58mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 420 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TA)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

IPW60R125P6XKSA1
BUK963R2-40B,118
FDS5670
FDS5670
$0 $/pedaço
SQM50P04-09L_GE3
IXTY32P05T
IXTY32P05T
$0 $/pedaço
IPB011N04LGATMA1
BUK7523-75A,127
BUK7523-75A,127
$0 $/pedaço
SSU1N60BTU
RD3G07BATTL1
RD3G07BATTL1
$0 $/pedaço
C3M0016120D
C3M0016120D
$0 $/pedaço

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