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SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

compliant

SIR838DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 33mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2075 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.4W (Ta), 96W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

HUFA76429D3ST-F085
HUFA76429D3ST-F085
$0 $/pedaço
SI2341DS-T1-E3
SI2341DS-T1-E3
$0 $/pedaço
DKI04077
DKI04077
$0 $/pedaço
SPD35N10
SPD35N10
$0 $/pedaço
NTD30N02T4
NTD30N02T4
$0 $/pedaço
FQPF5N50CT
FQPF5N50CT
$0 $/pedaço
IRF9Z24STRR
IRF9Z24STRR
$0 $/pedaço
FQPF13N50C_F105
FQPF13N50C_F105
$0 $/pedaço

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