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SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

compliant

SIHB12N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.28000 $2.28
10 $2.06400 $20.64
100 $1.65830 $165.83
500 $1.28976 $644.88
1,000 $1.06865 -
2,500 $0.99495 -
5,000 $0.95810 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 937 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 147W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NTLJS3113PTAG
NTLJS3113PTAG
$0 $/pedaço
FDH50N50
IRFB3307PBF
DMTH6005LK3Q-13
STB85NF55T4
STB85NF55T4
$0 $/pedaço
NTGS3455T1G
NTGS3455T1G
$0 $/pedaço
NTHS5441T1
NTHS5441T1
$0 $/pedaço
STW13NK100Z
STW13NK100Z
$0 $/pedaço
DMN3730U-7
DMN3730U-7
$0 $/pedaço
PSMN013-100BS,118

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