Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SIDR402EP-T1-RE3

SIDR402EP-T1-RE3

SIDR402EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET

não conforme

SIDR402EP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.63000 $2.63
500 $2.6037 $1301.85
1000 $2.5774 $2577.4
1500 $2.5511 $3826.65
2000 $2.5248 $5049.6
2500 $2.4985 $6246.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 65.2A (Ta), 291A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 165 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9100 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

IRFH5215TRPBF
RMA7P20ED1
RMA7P20ED1
$0 $/pedaço
TPS1101DR
TPS1101DR
$0 $/pedaço
IXTH24P20
IXTH24P20
$0 $/pedaço
BUK962R8-30B,118
PSMN6R0-30YLDX
SI4124DY-T1-GE3
IXTQ140N10P
IXTQ140N10P
$0 $/pedaço
SI4850BDY-T1-GE3
IRF2903ZPBF

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.