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SIA445EDJ-T1-GE3

SIA445EDJ-T1-GE3

SIA445EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

não conforme

SIA445EDJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.27459 -
6,000 $0.25677 -
15,000 $0.24786 -
30,000 $0.24300 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2130 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

IRF840PBF
IRF840PBF
$0 $/pedaço
STW4N150
STW4N150
$0 $/pedaço
FDD9407L-F085
FDD9407L-F085
$0 $/pedaço
IXTA130N10T
IXTA130N10T
$0 $/pedaço
STH315N10F7-6
IXFP18N65X2M
IXFP18N65X2M
$0 $/pedaço
DMN4030LK3-13
APT5018SLLG

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