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SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

não conforme

SI7956DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.78182 -
6,000 $1.71912 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 150V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.6A
rds em (máx.) @ id, vgs 105mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 26nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 1.4W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa PowerPAK® SO-8 Dual
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8 Dual
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Número da peça relacionada

FQS4900TF
FDMQ86530L
FDMQ86530L
$0 $/pedaço
UM6K31NTN
UM6K31NTN
$0 $/pedaço
DMG1016VQ-13
FDS8934A
DMP2004DWK-7
SH8K12TB1
SH8K12TB1
$0 $/pedaço

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