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SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8

não conforme

SI7121ADN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.26781 -
6,000 $0.25043 -
15,000 $0.24174 -
30,000 $0.23700 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1870 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IPA65R190C7XKSA1
MIC94051YM4-TR
DMP4006SPSWQ-13
NVMFS5830NLT1G
NVMFS5830NLT1G
$0 $/pedaço
SIHD7N60E-GE3
SIHD7N60E-GE3
$0 $/pedaço
IRFR420T
IRFZ44RPBF
IRFZ44RPBF
$0 $/pedaço

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