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SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

não conforme

SI4816BDY-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.84005 -
5,000 $0.81090 -
12,500 $0.79500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.8A, 8.2A
rds em (máx.) @ id, vgs 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10nC @ 5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 1W, 1.25W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

IRF7380TRPBF
DMN65D8LDW-7
DMG1024UV-7
DMG1024UV-7
$0 $/pedaço
IRF7105TRPBF
US6M11TR
US6M11TR
$0 $/pedaço
SQ3989EV-T1_GE3

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