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SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

SI2316BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

não conforme

SI2316BDS-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.25425 -
6,000 $0.23775 -
15,000 $0.22950 -
30,000 $0.22500 -
3749 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 9.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 350 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

RQ3E150BNTB
RQ3E150BNTB
$0 $/pedaço
STF15NM65N
STF15NM65N
$0 $/pedaço
RM110N85T2
RM110N85T2
$0 $/pedaço
IRLI610ATU
SQJ140ELP-T1_GE3
BUK7M15-60EX
BUK7M15-60EX
$0 $/pedaço
SIDR140DP-T1-GE3

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