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SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6

compliant

SI1070X-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.55V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.3 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 385 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 236mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-89 (SOT-563F)
pacote / caixa SOT-563, SOT-666
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Número da peça relacionada

DMP3025LK3-13-01
IRFM120A
PHM25NQ10T,518
PHM25NQ10T,518
$0 $/pedaço
IRF8714PBF
SIR838DP-T1-GE3
HUFA76429D3ST-F085
HUFA76429D3ST-F085
$0 $/pedaço

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