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TK10Q60W,S1VQ

TK10Q60W,S1VQ

TK10Q60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK

não conforme

TK10Q60W,S1VQ Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
75 $2.22747 $167.06025
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 430mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.7V @ 500µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 700 pF @ 300 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 80W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-Pak
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

FDMS86202
FDMS86202
$0 $/pedaço
SIHP065N60E-BE3
UJ3C065080T3S
UJ3C065080T3S
$0 $/pedaço
IPB100N04S2-04
NTMFS4945NT3G
NTMFS4945NT3G
$0 $/pedaço
RM20N650TI
RM20N650TI
$0 $/pedaço
RFD16N05LSM9A
RFD16N05LSM9A
$0 $/pedaço
RF1S70N06SM
IXTA230N075T2-TRL
IXTA230N075T2-TRL
$0 $/pedaço

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