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STU12N60M2

STU12N60M2

STU12N60M2

MOSFET N-CH 600V 9A IPAK

não conforme

STU12N60M2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.89613 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 450mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 538 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 85W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251 (IPAK)
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

BSO201SPHXUMA1
C3M0065100J-TR
C3M0065100J-TR
$0 $/pedaço
NTD4810NHT4G
NTD4810NHT4G
$0 $/pedaço
IRFR430APBF
IRFR430APBF
$0 $/pedaço
STL3NM60N
STL3NM60N
$0 $/pedaço
SISHA12ADN-T1-GE3
FQP50N06
FQP50N06
$0 $/pedaço

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