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STL115N10F7AG

STL115N10F7AG

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MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

não conforme

STL115N10F7AG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.97150 -
6,000 $0.93960 -
80 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 107A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 53A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 72.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5600 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount, Wettable Flank
pacote de dispositivo do fornecedor PowerFlat™ (5x6)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

FCPF11N65
FQB6N70TM
IRFZ44SPBF
IRFZ44SPBF
$0 $/pedaço
IRFR014PBF-BE3
IRFR014PBF-BE3
$0 $/pedaço
SQJ409EP-T1_BE3
NTMFS5C682NLT1G
NTMFS5C682NLT1G
$0 $/pedaço
IXTT48P20P
IXTT48P20P
$0 $/pedaço
FDMC2523P
FDMC2523P
$0 $/pedaço

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