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R6012JNXC7G

R6012JNXC7G

R6012JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM

não conforme

R6012JNXC7G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.19000 $4.19
500 $4.1481 $2074.05
1000 $4.1062 $4106.2
1500 $4.0643 $6096.45
2000 $4.0224 $8044.8
2500 $3.9805 $9951.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 15V
rds em (máx.) @ id, vgs 390mOhm @ 6A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id 7V @ 2.5mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 28 nC @ 15 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 900 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220FM
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

FDPF4N60NZ
FDPF4N60NZ
$0 $/pedaço
SI7848BDP-T1-GE3
PMH550UPEH
PMH550UPEH
$0 $/pedaço
SI2342DS-T1-GE3
NX138BKWF
NX138BKWF
$0 $/pedaço
FDD5N50FTM-WS
FDD5N50FTM-WS
$0 $/pedaço
DMN3016LK3-13
GPI65005DF
GPI65005DF
$0 $/pedaço
SI7742DP-T1-GE3

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