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EMF8T2R

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TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

EMF8T2R Ficha de dados

não conforme

EMF8T2R Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
8,000 $0.13160 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
corrente - coletor (ic) (máx.) 100mA, 500mA
tensão - quebra do coletor emissor (máx.) 50V, 12V
resistor - base (r1) 47kOhms
resistor - base emissora (r2) 47kOhms
ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
saturação vce (máx.) @ ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
corte de corrente - coletor (máx.) 500nA
frequência - transição 250MHz, 320MHz
potência - máx. 150mW
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa SOT-563, SOT-666
pacote de dispositivo do fornecedor EMT6
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