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NTMFS4C09NT3G

NTMFS4C09NT3G

NTMFS4C09NT3G

onsemi

MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN

não conforme

NTMFS4C09NT3G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.44768 $0.44768
500 $0.4432032 $221.6016
1000 $0.4387264 $438.7264
1500 $0.4342496 $651.3744
2000 $0.4297728 $859.5456
2500 $0.425296 $1063.24
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10.9 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1252 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacote / caixa 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Número da peça relacionada

DMP1055USW-7
CSD17576Q5BT
CSD17576Q5BT
$0 $/pedaço
BUK7Y3R0-40HX
BUK7Y3R0-40HX
$0 $/pedaço
SQS486CENW-T1_GE3
SQM60030E_GE3
SQM60030E_GE3
$0 $/pedaço
SQD100N03-3M2L_GE3
SIHG100N60E-GE3
SIA429DJT-T1-GE3

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