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FDN339AN

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3

não conforme

FDN339AN Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.18073 -
6,000 $0.16907 -
15,000 $0.15741 -
30,000 $0.14925 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 700 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 500mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

PSMN9R8-30MLC,115
PSMN013-100YSEX
STF11N60DM2
STF11N60DM2
$0 $/pedaço
IXFR180N10
IXFR180N10
$0 $/pedaço
SISA35DN-T1-GE3
SIS698DN-T1-GE3
IRFH7440TRPBF
FDP2D9N12C
FDP2D9N12C
$0 $/pedaço
STL4LN80K5
STL4LN80K5
$0 $/pedaço

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