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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 25 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 100A (Tc) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 4.5V, 10V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 1.2mOhm @ 25A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 2.2V @ 1mA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 60.3 nC @ 10 V |
| vgs (máx.) | ±20V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 4327 pF @ 12 V |
| característica fet | Schottky Diode (Body) |
| dissipação de potência (máx.) | 172W (Tc) |
| temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 |
| pacote / caixa | SC-100, SOT-669 |
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