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IXTH180N10T

IXTH180N10T

IXTH180N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 180A TO247

não conforme

IXTH180N10T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.51000 $4.51
30 $3.62267 $108.6801
120 $3.30050 $396.06
510 $2.67261 $1363.0311
1,020 $2.25400 -
69 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 151 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6900 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 480W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

SQ9407EY-T1_BE3
ZXMN10A07ZTA
SIDR402EP-T1-RE3
IRFH5215TRPBF
RMA7P20ED1
RMA7P20ED1
$0 $/pedaço
TPS1101DR
TPS1101DR
$0 $/pedaço
IXTH24P20
IXTH24P20
$0 $/pedaço
BUK962R8-30B,118
PSMN6R0-30YLDX
SI4124DY-T1-GE3

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