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IXFN200N10P

IXFN200N10P

IXFN200N10P

IXYS

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

não conforme

IXFN200N10P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $19.38000 $193.8
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 235 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 680W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

SI7315DN-T1-GE3
EPC2059
EPC2059
$0 $/pedaço
IRF4104PBF
RQ3E100MNTB1
RQ3E100MNTB1
$0 $/pedaço
STFI13NK60Z
STFI13NK60Z
$0 $/pedaço
NTMFS4C06NT3G
NTMFS4C06NT3G
$0 $/pedaço
R6076ENZ4C13
R6076ENZ4C13
$0 $/pedaço
NTMJS1D6N06CLTWG
NTMJS1D6N06CLTWG
$0 $/pedaço

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