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IXFH10N100Q

IXFH10N100Q

IXFH10N100Q

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD

não conforme

IXFH10N100Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $11.78467 $353.5401
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

FCPF20N60ST
IPW90R1K0C3FKSA1
NTD4805N-1G
NTD4805N-1G
$0 $/pedaço
IRF3709ZCSTRR
SI4448DY-T1-GE3
IRF6726MTR1PBF
ZXM64N02XTA
ZXM64N02XTA
$0 $/pedaço
FQB20N06LTM
IPP60R600E6
FQD4N20LTM
FQD4N20LTM
$0 $/pedaço

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