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SPB80N10L G

SPB80N10L G

SPB80N10L G

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

compliant

SPB80N10L G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 2mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4540 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SI5499DC-T1-GE3
IRF520NSPBF
NTLUS3A18PZCTAG
NTLUS3A18PZCTAG
$0 $/pedaço
HRF3205F102
NTF3055-100T3LF
NTF3055-100T3LF
$0 $/pedaço
IRFR7446PBF
STU12N65M5
STU12N65M5
$0 $/pedaço
IXTH88N15
IXTH88N15
$0 $/pedaço
IPP26CN10NGHKSA1
FQNL1N50BTA

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