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IPB80N03S4L-03ATMA1

IPB80N03S4L-03ATMA1

IPB80N03S4L-03ATMA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

IPB80N03S4L-03ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.81000 $0.81
500 $0.8019 $400.95
1000 $0.7938 $793.8
1500 $0.7857 $1178.55
2000 $0.7776 $1555.2
2500 $0.7695 $1923.75
10000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 45µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 94W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIHF23N60E-GE3
SIHF23N60E-GE3
$0 $/pedaço
DMTH6010LK3-13
IPU80R2K0P7AKMA1
P3M12080K3
IXFH96N15P
IXFH96N15P
$0 $/pedaço
SUM40010EL-GE3
SUM40010EL-GE3
$0 $/pedaço
STU6N65M2
STU6N65M2
$0 $/pedaço
CSD17579Q5A
CSD17579Q5A
$0 $/pedaço
SIHF520STRL-GE3

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