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BSC0504NSIATMA1

BSC0504NSIATMA1

BSC0504NSIATMA1

MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON

não conforme

BSC0504NSIATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.39018 -
10,000 $0.37551 -
25,000 $0.37338 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Ta), 72A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 960 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-6
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

BSS84PH6327XTSA2
RTR030P02HZGTL
CSD17578Q3A
CSD17578Q3A
$0 $/pedaço
CSD13303W1015
CSD13303W1015
$0 $/pedaço
IXTA48N20T
IXTA48N20T
$0 $/pedaço
IXFQ60N60X
IXFQ60N60X
$0 $/pedaço
IXFH52N30P
IXFH52N30P
$0 $/pedaço

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