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BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON

compliant

BSC010N04LSATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $1.27154 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 38A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6800 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8 FL
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

RD3L08BGNTL
RD3L08BGNTL
$0 $/pedaço
IRF9Z34STRRPBF
IRF9Z34STRRPBF
$0 $/pedaço
HUF76445S3S
FDC608PZ
FDC608PZ
$0 $/pedaço
IPI60R299CPXKSA1
AUIRFSL8408
SI3443CDV-T1-E3
IPA60R280P6XKSA1
MCMN2012A-TP

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