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GT105N10F

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GT105N10F

N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<

compliant

GT105N10F Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.47000 $1.47
500 $1.4553 $727.65
1000 $1.4406 $1440.6
1500 $1.4259 $2138.85
2000 $1.4112 $2822.4
2500 $1.3965 $3491.25
70 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10.5mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 54 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 20.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

RM130N100HD
RM130N100HD
$0 $/pedaço
DMN2400UFD-7
DMN601K-7
DMN601K-7
$0 $/pedaço
SI2371EDS-T1-BE3
FDD5N50TM-WS
FDD5N50TM-WS
$0 $/pedaço
SI2306-TP
SI2306-TP
$0 $/pedaço
NTD3817NT4G
NTD3817NT4G
$0 $/pedaço
SIHP11N80E-BE3
SIHP11N80E-BE3
$0 $/pedaço

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