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G70N04T

G70N04T

G70N04T

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

G70N04T Ficha de dados

não conforme

G70N04T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.99000 $0.99
500 $0.9801 $490.05
1000 $0.9702 $970.2
1500 $0.9603 $1440.45
2000 $0.9504 $1900.8
2500 $0.9405 $2351.25
68 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 70A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4010 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IRFP048PBF
IRFP048PBF
$0 $/pedaço
RFD16N05LSM_NL
SIDR626LEP-T1-RE3
IPP60R600CP
IXTA4N150HV-TRL
IXTA4N150HV-TRL
$0 $/pedaço
PMXB350UPEZ
PMXB350UPEZ
$0 $/pedaço
IXFA7N80P
IXFA7N80P
$0 $/pedaço
BUK6D125-60EX
BUK6D125-60EX
$0 $/pedaço
IXTQ36P15P
IXTQ36P15P
$0 $/pedaço

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