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G65P06F

G65P06F

G65P06F

P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10

G65P06F Ficha de dados

não conforme

G65P06F Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.62000 $1.62
500 $1.6038 $801.9
1000 $1.5876 $1587.6
1500 $1.5714 $2357.1
2000 $1.5552 $3110.4
2500 $1.539 $3847.5
85 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 65A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6477 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

AUIRFS8408-7TRL
IRF9Z10PBF-BE3
IRF9Z10PBF-BE3
$0 $/pedaço
STI10N62K3
STI10N62K3
$0 $/pedaço
IPA60R280P7XKSA1
STP185N55F3
STP185N55F3
$0 $/pedaço
NTMFS4C027NT1G
NTMFS4C027NT1G
$0 $/pedaço
IXFH140N20X3
IXFH140N20X3
$0 $/pedaço
DMN1004UFV-7

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