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DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN

não conforme

DMT10H015LCG-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.46980 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.4A (Ta), 34A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1871 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 155°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor V-DFN3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IRFH5104TR2PBF
PHT11N06LT,135
PHT11N06LT,135
$0 $/pedaço
ZVN4206A
ZVN4206A
$0 $/pedaço
FDMC86261P
FDMC86261P
$0 $/pedaço
APT6025BVRG
IXFT150N30X3HV
IXFT150N30X3HV
$0 $/pedaço
PSMN027-100BS,118
IRFU9110PBF
IRFU9110PBF
$0 $/pedaço
IRF1018ESTRLPBF

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