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DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

não conforme

DMN2016UTS-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.24765 -
5,000 $0.23335 -
12,500 $0.21905 -
25,000 $0.20904 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual) Common Drain
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 20V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.58A
rds em (máx.) @ id, vgs 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16.5nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1495pF @ 10V
potência - máx. 880mW
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-TSSOP
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Número da peça relacionada

APTM50H14FT3G
DMN2008LFU-13
QS8J11TCR
QS8J11TCR
$0 $/pedaço
SQJB48EP-T1_GE3
FDB3652SB82059
TC6320K6-G
TC6320K6-G
$0 $/pedaço
ECH8653-S-TL-H
ECH8653-S-TL-H
$0 $/pedaço
PMGD280UN,115
PMGD280UN,115
$0 $/pedaço
DMP2004VK-7
DMP2004VK-7
$0 $/pedaço

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