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ISL9N312AS3ST

ISL9N312AS3ST

ISL9N312AS3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

ISL9N312AS3ST Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.80000 $0.8
500 $0.792 $396
1000 $0.784 $784
1500 $0.776 $1164
2000 $0.768 $1536
2500 $0.76 $1900
40622 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 58A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1450 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 75W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IXTH450P2
IXTH450P2
$0 $/pedaço
IPP029N06NAKSA1
DMP2110UQ-13
DMT32M4LPSW-13
IPI60R280C6XKSA1
FDD6N50TM-WS
FDD6N50TM-WS
$0 $/pedaço
RM60N40LD
RM60N40LD
$0 $/pedaço
FDP047N10
FDP047N10
$0 $/pedaço

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